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베렉스, 5G Massive MIMO 기지국용 DVGA 신제품 BVA3144C 출시

우수한 기술력 입증, 수입 대체를 넘어서 세계 정상급 RF Semiconductor 회사 진입 목표

2025-09-17 10:26 출처: 베렉스

베렉스 BVA3144C - Medium Power Digital Variable Gain Amplifier 4400 – 5000MHz

서울--(뉴스와이어)--베렉스가 SiP(System In Package) 기술로 RF 디지털 감쇄기(DSA:Digital Step Attenuator)와 3개의 증폭기(2xDrive Amplifier, 1/4W Medium Power Amplifier)를 결합한 5G Massive MIMO 기지국용 DVGA(Digital Variable Gain Amplifier) 제품 ‘BVA3144C(4.4-5.0GHz)’를 출시했다.

◇ 성능 설명

DVGA는 5G Massive MIMO 기지국 내 낮은 RF 신호를 증폭할 뿐 아니라 Serial Interface를 통해 0.25dB 단계 기준 이득 조절 범위가 31.75dB에 달한다. 모든 단계별 정확도는 ±(0.3+5%xAttenuation @ 4.4GHz-5.0GHz)이다.

◇ 성능 우수/장점

3GPP 5G NR 주파수가 크게 sub-6GHz와 mmWave(millimeter wave)로 나눠지며, 이로써 한국, 미국, 유럽, 중국, 일본, 러시아 등 전 세계 sub-6GHz 주파수 범위를 커버할 수 있는 것이 BVA3144C의 장점이다.

제품은 고객의 편의성을 도모하고 사이즈를 최소화하기 위해 증폭기 3개, 디지털 감쇄기 1개 및 수동 소자까지 SiP(28-lead 6x6 LGA)에 설계함으로써 사용자에게 장비의 크기를 줄일 수 있는 장점을 제공한다. 특히 5G Massive MIMO는 16x16, 32x32, 64x64 Channel을 사용함으로써 4G(2x2, 4x4 Channel)에 비해 사이즈가 최소할 수 있어 경쟁에서 우위를 점할 것으로 기대된다.

이 제품은 세계 유수의 기지국 업체에서 관심이 높은 5G NR sub-6GHz 대역에서 선형성(OIP3: 40dBm, OP1dB: 26.5dBm) 및 고이득(Gain: >35.6~37.3dB)을 확보했으며, 5G 이동통신 장비 시장에서 널리 사용될 것으로 기대된다.

MSB(Most Significant Bit) 입력 시 발생하는 오버슈트(Overshoot)를 약 95% 개선함으로써 Glitch 잡음에 의해 무선통신 장비에서 발생하는 고출력 증폭기가 죽는 현상을 방지하고 전달되는 신호의 안정성을 개선했다.

또한 당사 특허기술 중 RFIC용 과전압 보호회로(Over Voltage Protection Circuit for RF IC, KR100834691B1)가 내장돼 무선통신 장비의 동작전압 이상 입력 시 외부 전원을 차단함으로써 상기 RF IC의 영구적 손상을 방지한다.

5G 기지국 AAS(Active Antenna Systems)는 빔포밍(Beamforming)을 위해 많은 지향성 안테나 빔을 1msec 미만으로 제어해야 한다. 이를 위한 신호 감쇄기의 단계별 정확도는 ±(0.3+5%xAtten@4.4GHz-5.0GHz)로 우수한 성능을 가지고 있다.

◇ 수입 대체 효과

현재 국내에서는 5G DVGA를 대다수 수입에 의존하고 있으나, 이번 제품 출시 통해 5G 기지국 RRH(Remote Radio Head) 시장의 부품 국산화가 확대될 것으로 기대된다.

◇ 해외 시장 진출 및 수출 증대

이번 성과를 계기로 미국 등 해외 기업이 점유하고 있는 기지국 부품 시장에서 베렉스의 제품 라인업을 확대해 시장 점유율이 증대될 것으로 기대된다.

◇ 향후 계획

베렉스는 SiP 기술을 기반으로 더 많은 수동소자 및 자사 IP인 능동 소자를 결합해 다양한 MCM(Multi Chip Module) 제품을 출시함으로써 세계 정상급 RF Semiconductor 회사에 진입하는 것이 목표다.

◇ 제품 규격

BVA3144C Medium Power Digital Variable Gain Amplifier 4400 - 5000MHz

· Integrated Amplifier1 + DSA + Amplifier2, 3 and Bias Circuits

· A Single +5.0V supply

· 4400 - 5000MHz Frequency Range

· 37.3dB Gain @ 4.6GHz

· 4.2dB Noise Figure at max gain setting @ 4.6GHz

· 26.5dBm Output P1dB @ 4.6GHz

· 40dBm Output IP3 @ 4.6GHz

· ACP at 4.6GHz, 50dBc

- 5GNR 100MBW(±100MHz offset) ≥ 14.5dBm

- LTE 20MBW(±20MHz offset) ≥ 16.0dBm

· Attenuation : 0.25 dB step up to 31.75dB

· Glitch-less attenuation state transitions

· High attenuation accuracy

±(0.3 + 5% x ATT) @ 4.4 - 5.0GHz

· Programming Interface

- Serial / Parallel(Bypass Mode)

· Lead-free/RoHS2-compliant 28-lead 6mm x 6mm x 1.07mm SIP LGA SMT Package

베렉스 소개

베렉스는 이동통신용 화합물 반도체를 기획·개발·생산·판매하는 전문 벤처 기업으로 2004년 출범했으며, 통신 기지국에서 활용하는 무선통신 반도체(RFIC) 분야 특허를 다수 확보해 기술력으로 낮은 인지도를 극복하고 사업 영역을 넓혀오고 있다. 2007년 이후 매년 수익을 창출해 무 차입 경영을 실시하고 있다. 2008년 미국 캘리포니아 산호세에 100% 자회사 BeRex, Inc.를 설립해 미국 레이더 위성통신장비 시장에 진입했으며, 2019년에는 캘리포니아 소재 옥토테크(Octotech)를 인수해 IoT용 반도체를 개발·생산·판매하고 있다. 현재는 화합물 반도체 외에 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체, 실리콘 절연막(Silicon-on-Insulator) 반도체 기술을 이용해 제품 및 시장 다변화를 하고 있다. 베렉스는 서울, 미국 산타 클라라와 산타 아나 3곳에 연구소를 운영하고 있다. 베렉스는 현재 19개 제품군과 177개의 제품을 판매하고 있으며, 또한 전 세계 22개국 수출 및 530명 고객을 확보한 경영, 기획과 기술 혁신형 벤처기업이다.

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