성남--(뉴스와이어)--전 세계 첨단 반도체 및 디스플레이를 위한 재료공학 솔루션 선도 기업 어플라이드 머티어리얼즈(www.appliedmaterials.com/ko)는 글로벌 플래시 메모리 및 SSD(Solid State Drives) 선도 기업인 키옥시아(KIOXIA)가 차세대 메모리 기술 발전을 위해 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에 혁신 파트너로 합류한다고 발표했다.

양사는 이번 협력으로 EPIC 센터에서 첨단 메모리 셀 및 구조 형성, 멀티 칩 적층 아키텍처, 새로운 재료공학 접근법을 함께 연구한다. 이를 통해 AI 시대에 필요한 메모리 밀도와 성능을 높인다는 계획이다.

게리 디커슨(Gary Dickerson) 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 “AI 인프라에는 획기적으로 높은 밀도와 넓은 대역폭, 향상된 에너지 효율을 제공하는 메모리 솔루션이 필요하다”며 “EPIC 센터에서 키옥시아의 깊은 메모리 기술 전문성과 어플라이드의 재료공학 혁신을 결합해 차세대 메모리의 가능성을 새롭게 정의할 강력한 파트너십을 구축하고 있다”고 밝혔다.

오타 히로오 키옥시아 사장 겸 CEO는 “키옥시아는 메모리의 가능성이 재료 및 공정 혁신의 한계를 얼마나 확장할 수 있는지에 따라 결정되다고 믿어 왔다”며 “어플라이드 머티어리얼즈와의 협력은 메모리 혁신을 이끌겠다는 양사의 공동 의지를 보여준다. EPIC 센터에서 첨단 기술 혁신을 함께 이뤄낼 수 있게 돼 기대된다”고 말했다.

이번 EPIC 센터 파트너십을 통해 어플라이드 머티어리얼즈와 키옥시아는 차세대 메모리 혁신에서 가장 중요한 과제들을 중심으로 R&D 이니셔티브를 공동 추진한다. 양사는 AI 애플리케이션을 위한 더 높은 성능과 밀도의 메모리 아키텍처 개발을 목표로 첨단 메모리 셀 및 구조 형성 기술을 연구한다. 또한 차세대 메모리를 위한 멀티 칩 적층 기술로 제한된 폼팩터 안에서 메모리 밀도와 성능을 높이는 칩 집적을 구현한다. 적층 메모리를 위한 첨단 패키징 분야에서는 복잡한 멀티 다이(multi-die) 메모리 솔루션의 집적도와 인터커넥트 성능 개선에 협력한다. 이와 함께 대규모 양산성을 확보하면서 차세대 메모리 구조를 구현할 재료공학 혁신도 함께 모색한다.

프라부 라자(Prabu Raja) 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹(SPG) 사장은 “메모리는 AI 혁신 로드맵의 중심에 있다. 비용과 복잡성을 관리하면서 메모리 밀도를 높이기 위해서는 재료, 장비, 공정 기술 전반에서 혁신이 필요하다”며 “EPIC 센터에서 키옥시아와 협력하게 돼 기대가 크다. 양사 팀은 긴밀한 공동 혁신으로 AI 메모리의 발전을 이끌 것”이라고 밝혔다.

카지모토 미노리 키옥시아 첨단 메모리 개발 총괄은 “EPIC 센터에서 어플라이드 머티어리얼즈와 협력함으로써 차세대 메모리 분야의 가장 어려운 난제들을 해결할 수 있는 독보적인 환경을 갖추게 됐다”며 “키옥시아와 어플라이드의 최고 혁신 인재들이 긴밀히 협력해 AI 컴퓨팅을 위한 새로운 차원의 집적도와 성능을 실현할 차세대 메모리 및 패키징 기술 혁신의 상용화를 앞당기고자 한다”고 말했다.

실리콘밸리에 위치한 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 약 50억달러[1] 규모로 미국 내 역대 최대 규모의 첨단 반도체 장비 R&D 투자다. 연내 가동 준비를 마칠 예정인 이 센터는 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 처음부터 설계됐다. 칩 제조사는 EPIC 센터의 보안이 확보된 협업 환경에서 어플라이드의 R&D 포트폴리오를 더 일찍 활용하고, 더 빠른 학습 주기를 거쳐 차세대 기술을 대규모 양산으로 신속하게 이전할 수 있다. 또한 어플라이드는 EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램으로 여러 노드에 걸친 가시성을 확보해 R&D 투자 방향을 정하고, R&D 생산성과 가치 공유를 높일 수 있다.

[1] 자본 지출은 고객 프로젝트 개시에 따라 점진적으로 약 50억달러 규모까지 확대될 예정이다.

Forward-Looking Statements

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